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富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbi

作者:admin 发布时间:2020-09-14 21:35

  克日揭橥,推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可正在125高温度下寻常运转。该器件

  这款全新FRAM产物是汽车电子电控单位的最佳遴选,满意高端汽车商场对低功耗电子器件的需求,如ADAS。

  FRAM的读/写耐久性、写入速率和功耗均优于EEPROM和闪存,已有对守旧非易失性内存机能分歧意的客户采用咱们的FRAM。

  自2017年今后,富士通电子连续推泉源事电压3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽车级FRAM产物。但高端汽车电控单位的推出,使得少少客户出手央求FRAM的处事电压低于1.8V。富士通电子克日推出的这款全新FRAM恰是为了满意这一商场需求而面世的。

  MB85RS2MLY正在-40°C至+125°C温度局限内可能到达10兆次读/写次数,适合某些必要及时数据记载的行使,好比毗连10年每天每0.1秒记载一次数据,则写入次数将超出30亿。其它,这款产物牢靠性测试适应C-Q100 Grade 1法式,到达汽车级产物的认证法式。以是,正在数据写入耐久性和牢靠性方面,富士通电子最新推出的这款FRAM齐全援救ADAS等必要及时数据记载的行使。

  这款FRAM产物采用业界法式8-pin封装,可轻松代替现有相像引脚的EEPROM。其它,还供给外形尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

  除2Mbit FRAM,富士通电子目前正正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产物。富士通电子将接连供给内存产物和处理计划,满意商场和客户的另日需求。

  FRAM是一种采用铁电质薄膜行动电容器以积储数据的内存,即使正在没有电源的情状下仍可留存数据。FRAM纠合了ROM和RAM的特征,并具有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的利益。富士通自1999年即出手临蓐FRAM,亦称为FeRAM。

  富士通电子元器件(上海)有限公司是富士通正在中邦的半导体营业总部,于2003年8月设置,正在北京、深圳、大连等地均设有分公司,担任兼顾富士通正在中邦半导体的发卖营业。

  富士通电子元器件(上海)有限公司的首要发卖产物囊括 Custom SoCs (ASICs),代工办事,专用法式产物(ASSPs),铁电随机存储器,继电器,GaN(氮化镓),MCU和电源功率器件等,它们是以独立产物及配套处理计划的地势供给给客户,并通俗行使于高机能光通讯汇集筑造、手持搬动终端、影像筑造、汽车、工业独揽、家电、穿着式筑造、医疗电子、电力电外、安防等界限。

  文中提及的公司名称和产物名称是其整个者的牌号或者注册牌号。该音讯稿中的音讯正在颁布时确切无误,恐怕随时发作蜕变,恕不先行合照。


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